فناوری اکـسید فــلز نیمه‌هادی مکـمل یک روش محبوب و فراگیر در طراحی مدارات الکترونیکی و دیجیتالی است. ولی در این فناوری، کاهش در سطح زیر میکرون به‌سادگی امکان­پذیر نیست؛ بدین دلیل فناوری آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو به‌عنوان یک فناوری پیشتاز درزمینه نانو و روشی جدید جهت طراحی مدارات دیجیتال و کاهش توان مصرفی معرفی گردید. آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو یک روش جدید برای انجام محاسبات با انتقال اطلاعات از طریق اندرکنش سلول‌های کوانتومی را بیان می­کند. ابعاد کوچک، سرعت‌بالا، توان مصرفی پایین و تأخیر کم از ویژگی‌های اصلی این فناوری است. طراحی مدارات ایمن با امنیت بالا در فناوری آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو با در نظر گرفتن ارتباطات بین سلولی و مصرف توان کم، فضای مصرفی بهینه، برای طراحان امری بسیار مهم و حائز اهمیت است. لذا، در این مقاله ابتدا آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو شرح داده‌شده است و سپس سلول‌های کوانتومی، ساختارهای مهم در این فناوری، مبحث زمان‌بندی و نکات مهم در مدارات آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو مطرح گردیده است و درنهایت مروری بر پژوهش‌های ارائه‌شده درزمینه امنیت نظیر مدار رمزنگاری در ارتباط بین مدارات در فناوری آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو صورت گرفته است. درنهایت ساختارها، مدارات و صحت عملکرد آن‌ها مورد تحلیل و بررسی قرارگرفته است. نتایج حاصل نشان می‌دهد که می‌توان با روش‌هایی همچون طراحی مدار با دروازه Abtash، استفاده از منطق برگشت‌پذیر در دروازه فینمن، کلید برگشت‌پذیر با مدار فردکین و پیاده‌سازی فرآیند رمز گزاری رمزگشایی، امنیت و قابلیت اطمینان به مدارات در ارتباطات نانو بر اساس آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو را افزایش داد.